次世代パワー半導体 SiCの性能を最大限引き出すデジタル制御システムとアナログ駆動回路

近年エネルギー分野での省エネ化に向け注目される次世代パワー半導体のSiC（炭化ケイ素）。従来のシリコンに比べて低損失、高速スイッチングの上、高温動作が可能になる。本講演では、SiCパワーMOSFETの性能を最大限に引き出すゲート駆動用アナログ回路技術および汎用32bitマイコンで制御するスイッチング周波数の高速化手法を紹介する。また、SiCパワー MOSFETの普及のカギとなる従来デバイスとの効率･コストの比較分析を行う。

山田 康博STマイクロエレクトロニクス株式会社 システム・ソリューション技術部 マネージャー

プロフィール 国内半導体メーカーにてアナログIC（スイッチング制御電源、PFC制御、LEDドライバ制御、インバータ制御）のデザインエンジニアに従事した後、2014年にSTマイクロエレクトロニクスに入社。パワーデバイス、スイッチング制御電源IC、マイコン等の製品群のアプリケーション技術を担当。2016年よりシステム・ソリューション技術部パワーチームのマネージャーを務める。